MRF8S9220HR3 MRF8S9220HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics (TA
= 25
°C unless otherwise noted) (continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, IDQ
= 1600 mA, 920-960 MHz Bandwidth
Pout
@ 1 dB Compression Point, CW
P1dB
?
220
?
W
IMD Symmetry @ 200
W PEP, Pout
where IMD Third Order
30 dBc
Intermodulation
(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower
Sidebands > 2 dB)
IMDsym
?
12
?
MHz
VBW Resonance Point
(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)
VBWres
?
40
?
MHz
Gain Flatness in 40 MHz Bandwidth @ Pout
= 65 W Avg.
GF
?
0.3
?
dB
Gain Variation over Temperature
(-30°C to +85°C)
ΔG
?
0.017
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(-30°C to +85°C)
ΔP1dB
?
0.016
?
dBm/°C
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